От каких свойств материала зависит количество поглощаемой энергии

От каких свойств материала зависит количество поглощаемой энергии thumbnail

Работа добавлена на сайт samzan.ru: 2016-06-20

От каких свойств материала зависит количество поглощаемой энергии

Бесплатно

Узнать стоимость работы

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

(технический университет)

Кафедра безопасности производства и разрушения горных пород

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ

И ЕГО ПАРАМЕТРЫ

Санкт-Петербург

2009 год

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ И ЕГО ПАРАМЕТРЫ

Цель работы: знакомство с принципом установления норм безопасной работы человека с источниками электромагнитных полей и исследование эффективности экранов из различных материалов.

Требования безопасности.

1. Включать установку только с разрешения преподавателя.

2. Приборы лабораторной установки держать под напряжением только при проведении эксперимента.

3. При проведении работы пользоваться только оборудованием, относящимся к данной лабораторной установке.

Источники излучения.

Человек в условиях современной техногенной цивилизации постоянно испытывает на себе воздействие электромагнитных полей (ЭМП). ЭМП возникают при работе всех электрических машин, установок, приборов, устройств, везде, где протекает переменный ток.

Особенно интенсивное поле может возникнуть при работе специально сконструированных источников ЭМП двух классов.

Первый – для передачи информации: радиолокационные системы, передающие антенны телевидения и радиовещания, дефектоскопы, сотовые системы телефонии, бытовые радиотелефоны.

Второй класс источников ЭМП – это технологические установки: электромагнитная сепарация материалов, печи индукционного нагрева металлов, сушки древесины, термической обработки полимеров, строительных материалов, бытовые микроволновые печи и т.п.

В окружающей среде и помещениях при работе этих источников могут создаваться опасные зоны со значениями энергии, превышающими установленные для человека санитарные нормы.

Характеристики поля.

ЭМП – это совокупность двух неразрывно связанных между собой переменных полей, характеризующихся напряженностью электрической (Е, В/м) и магнитной (Н, А/м) составляющих. Изменение этого поля в пространстве происходит с той же частотой (f, гц), с которой пульсирует ток в проводнике.

Расстояние, на которое распространяется электромагнитная волна за один период, называется длиной волны =с/f , где с – скорость света, м/с.

Пространство вокруг источника ЭМП можно разделить на три зоны:

  •  зону индукции – формирования волны, которая находится на расстоянии R</2;
  •  зону интерференции, которая характеризуется наличием максимумов и минимумов потока энергии и находится на расстоянии R от источника:

/2 < R < 2;

  •  зону излучения на расстоянии R> 2.

При распространении ЭМП происходит перенос энергии, величина которой определяется вектором Умова-Пойтинга I=EН. Скалярная величина этого вектора измеряется Вт/м2 и называется интенсивностью I  или плотностью потока энергии (ППЭ).

В первой зоне характеристическими критериями ЭМП являются отдельно напряженности электрической и магнитной составляющих, в зонах интерференции и излучения – комплексная величина ППЭ I.

Процессы происходящие в живых организмах под воздействием ЭМП, зависят от времени t , что учитывается энергетической нагрузкой ЭН, которая в зависимости от характеристических параметров определяется как:

ЭНЕ= Е2t, (В/м)2час;  ЭНН= Н2t, (А/м)2час;  ЭНППЭ= It, (Вт/м2)час.

В таблице 1 приведена классификация ЭМП в зависимости от диапазона радиочастот (РЧ).

Таблица 1.

Диапазон радиочастот

f, Гц

, м

Нормируемые величины

Высокие – ВЧ

30 кГц-3МГц

10000 – 100

Е, Н

Ультравысокие – УВЧ

3 МГц –300 МГц

100 – 1

ЭНЕ, ЭНН

Сверхвысокие _ СВЧ

300 МГц – 300 ГГц

1 –0,001

I, ЭНППЭ

Воздействие на человека.

В ВЧ диапазоне электромагнитного поля длина волны намного больше размеров тела человека. Диэлектрические процессы, происходящие под воздействием ЭМП этого диапазона, выражены слабо. Тело человека можно считать однородным проводящим  эллипсоидом.  Максимальные токи возникают в теле, когда его большая ось расположена параллельно силовым линиям ЭМП. В результате может происходить сокращение мышц, разогрев организма. Под воздействием ВЧ-диапазона ЭМП страдает, прежде всего, нервная и сердечно-сосудистая системы, повышается утомляемость.

На более высоких частотах УВЧ и СВЧ диапазонов длина волны становится соизмерима с размерами тела человека и его отдельными органами, в тканях начинают преобладать диэлектрические потери, в электролитах (крове и лимфе) наводятся ионные вихревые токи. Энергия ЭМП поглощается организмом, превращаясь в тепловую энергию, нарушаются обменные процессы в клетках. До значения плотности потока поля I 10 Вт/м2, называемого тепловым порогом, механизмы терморегуляции справляются с подводимым теплом. При большей интенсивности может повысится температура. Особенно сильно страдают органы со слабо выраженным механизмом терморегуляции: мозг, глаза, желчный и мочевой пузырь, нервная система. Облучение глаз может привести к помутнению хрусталика (катаракте), возможны ожоги роговицы. Наблюдаются трофические явления в организме, старение и шелушение кожи, выпадение волос, ломкость ногтей.

В зависимости от интенсивности и времени воздействия изменения в организме могут быть обратимыми (функциональными) или необратимыми (морфологическими). Доказана наибольшая биологическая активность микроволнового СВЧ-поля в сравнении с ВЧ и УВЧ.

Таким образом, если не принять мер защиты, то излучаемая электромагнитная энергия может оказать вредное влияние на организм человека.

Нормирование ЭМП.

Нормирование ведется в соответствии с Санитарными правилами и нормами (СанПиН) и документами системы безопасности труда (ССБТ).

Нормирование полей промышленной частоты 50 Гц в условиях производства осуществляется по напряженности электрической составляющей ЕД  5 кВ/м – при нахождении работника в контролируемой зоне в течение всего рабочего дня, при напряженности 5-20 кВ/м допустимое время рассчитывается по формуле

ТД=(50/Еизм)-2

Где Еизм –измеренная величина напряженности.

Предельно допустимый уровень напряженности для производства 25 кВ/м. Для жилого сектора напряженность от линии электропередаче не должна превышать:

  •  на территории жилой застройки 1 кВ/м;
  •  внутри жилых зданий 0,5 кВ/м.

Нормирование полей радиочастотного (РЧ) диапазона. Для лиц, профессионально связанных с источниками ЭМП, радиочастотная оценка безопасности ведется по энергетической нагрузке (ЭНЕ; ЭНН; ЭНППЭ). Для лиц, находящихся на территории жилой застройки, в местах отдыха, оценка ведется по напряженности и интенсивности поля (Е, Н,I ). В табл.2 указаны максимальные значения нормируемых параметров для различных диапазонов ЭМП.

Таблица 2.

Нормируемый параметр

Диапазон радиочастот

ВЧ

УВЧ

СВЧ

3 – 30 МГц

30 – 300 МГц

Е, В/м

500

300

80

Н, А/м

50

I, Вт/м2

10

ЭНЕ, (В/м)2ч

20000

7000

800

ЭНН (А/м)2ч

200

ЭНППЭ (Вт/м)2час

2

Предельно допустимые значения параметров ЭМП на рабочих местах персонала с учетом времени воздействия t рассчитывают по следующим формулам:

                 ЕПД=(ЭНЕ)0,5/t;    НПД=(ЭНН)0,5/t;     IПД=КЭНППЭ/t

где ЭНЕ , ЭНН, ЭНППЭ – максимальные значения энергетической нагрузки из табл.2; К – коэффициент ослабления биологической активности ( К=10 для случаев облучения от сканирующих и вращающихся антенн; К=12,5 -при локальном облучении кистей рук; К=1 – для источников постоянного облучения всего организма).

Для бытовых источников ЭМП массового использования, таких как сотовые телефоны и микроволновые печи, существуют специальные нормы.

  1.  Гигиенические нормативы ГН 2.1.8./2.2.4.019-94.

Временные допустимые уровни (ВДУ) воздействия электромагнитных излучений, создаваемой системой сотовой связи. В работе этих систем используется следующий принцип: территория города и района делится на небольшие зоны (соты) радиусом 0,5-2 км, в центре каждой зоны располагается базовая станция. Системы сотовой радиосвязи работают в интервале 400 МГц – 1,2 ГГц, то есть в СВЧ диапазоне. Максимальная мощность передатчиков базовых станций не превышает 100 Вт, коэффициент усиления антенны 10-16 дБ. Мощность передатчиков автомобильных станций 8-20 Вт, ручных радиотелефонов 0,5-2 Вт. Лица профессионально связанные с источниками ЭМП, подвергаются его воздействию в течение всего рабочего дня, население, проживающее в непосредственной близости от базовых станций, — до 24 часов в сутки, пользователи только во время телефонных разговоров. ВДУ облучения приведены в табл. 3.

Таблица 3.

Категория облучения

Величина ВДУ

Профессиональное воздействие

Предельно допустимое значение

IПД=2/t Вт/м2 ; IПДmax 10Вт/м2

Непрофессиональное воздействие

Облучение населения, проживающего вблизи от антенн базовых станций

IПД 0,1Вт/м2

Облучение пользователей радиотелефонов

IПД 1Вт/м2

  1.  Предельно допустимые уровни плотности потока энергии (ППЭ), создаваемой микроволновыми печами.

Таблица 4.

Условия работы

Предельно допустимый уровень ППЭ

Эксплуатация микроволновых печей в условиях быта

До 0,1 Вт/м2 на расстоянии 50  5 см от любой точки микроволновой печи

Способы защиты от электромагнитных полей.

Для защиты от ЭМП РЧ используются следующие методы:

  1.  Уменьшение излучения в источнике.
  2.  Изменение направленности излучения.
  3.  Уменьшение времени воздействия.
  4.  Увеличение расстояния до источника облучения.
  5.  Защитное экранирование.
  6.  Применение средств индивидуальной защиты.

Экранирование – один из основных и наиболее часто применяемых средств защиты от ЭМП.  

Более высокая эффективность у экранов из электропроводных материалов. конструкция экрана может иметь сетчатую или ячеистую структуру. Размер ячейки должен быть на порядок, на порядок меньше длины волны экранируемого ЭМП.

Физическая сущность электромагнитного экранирования с точки зрения теории электромагнитного поля состоит в том, что под воздействием поля в материале наводятся токи, поля которых во внешнем пространстве по величине близки, а по направлению противоположны экранируемому полю. В результате происходит взаимная компенсация полей. При экранировании высокочастотных полей индукционные токи концентрируются вблизи поверхности, обращенной к экранируемому полю (явление поверхностного эффекта). Характеристика поверхностного эффекта – глубина проникновения электромагнитного поля в материал экрана, под которой понимается расстояние вдоль распространения электромагнитной волны, на котором величины ее составляющих Е и Н уменьшаются в 2,73 раза.

Эффективность экранирования, дБ, можно определить по формуле:

Э= 36+ 20/ +8,7d/       ( 1 )

где =0.52 (/f)0.5=0.03(/)0.5 – глубина проникновения, м; d – толщина материала экрана, м;  — длина волны ЭМП, м;  — дельное сопротивление материала экрана, Омм;  -магнитная проницаемость материала экрана, Гн/м; f – частота ЭМП, МГц.

В табл. 5 приведены данные по удельному сопротивлению и магнитной проницаемости различных материалов, служащих экранами.

Таблица 5.

Материал экрана

Удельное сопротивление, Омм

Магнитная проницаемость, Гн/м

Алюминий

2,810-8

1

Медь

1,710-8

1

Латунь

7,510-8

1

Сталь

1,010-7

180

Экспериментально эффективность экранирования можно определить из выражения:

Э= 10lg(I1 /I2), дБ  или  Э=I1 / I2 , раз,       ( 2 )

где I1 и I2 – интенсивность излучения , Вт/м2, без экрана и с экраном.

Описание лабораторной установки.

Лабораторная установка состоит из микроволновой печи, дипольной антенны и гальванометра. На лабораторном столе перед печью расположена координатная сетка, что позволяет фиксировать в пространстве измерительную точку. Источником электромагнитного поля является магнетрон, излучающий электромагнитные колебания частотой 2400 МГц и длиной волны  =12,5 см = 0,125 м.

Проведение измерений.

Задание 1. Оценка безопасности микроволновой печи.

  1.  Подключить микроволновую печь к электрической сети.
  2.  Открыть дверь печи и поставить в нее литровую банку с водой или кусок мрамора или кирпич, так как без нагрузки включать печь недопустимо. Дверь закрыть.
  3.  Дипольную антенну закрепить на штативе на высоте 18 см и ориентировать всегда параллельно передней панели печи.
  4.  Включить микроволновую печь на 10 мин в режиме разогрева. Для этого нажать кнопку «Старт».
  5.  Передвигая антенну по координатной сетке на лабораторном столе перед передней панелью печи, определить контуры зоны, в пределах которой плотность потока энергии превышает предельно допустимую величину 0,1 Вт/м2 (50 А).
  6.  Построить график зависимости плотности потока энергии от расстояния.
  7.  Определить коэффициент безопасности (КБ) и сделать вывод по выполненной работе.
  8.  Оценить максимальный размер опасной зоны в перпендикулярном направлении перед передней панелью печи. В соответствии с нормами размер этой зоне не должен превышать 50  5 см. дать заключение об уровне безопасности данной микроволновой печи, подсчитав коэффициент безопасности по формуле:

КБ= IПД / I50

где IПД =0,1 Вт/м2 – предельно допустимая по нормам величина ППЭ;  I50 – измеренная интенсивность излучения или плотность потока энергии на расстоянии 50 см от передней панели печи в точке максимального излучения.

Если КБ > 1 – печь безопасна, КБ < 1 – работающая печь создает ЭМП, опасное для здоровья пользователя.

Задание 2. Исследование эффективности экранирования.

1. По формуле (1) определить ожидаемую эффективность экранирования для одного из экранов (из алюминия толщиной 0,0005 м или латунной сетки толщиной 0,0003 м) по заданию преподавателя. Данные для расчета взять из табл. 5.

2. Установить дипольную антенну на расстоянии, соответствующем наибольшей интенсивности излучения. Измерить плотность потока энергии при включенной печи без экрана I1.

3. Определить экспериментально эффективность экранов. Для этого, последовательно устанавливая экраны между микроволновой печью и антенной, измерить плотность потока энергии с экранами I2 и по формуле ( 2 ) рассчитать эффективность в дБ и в разах.

4. Результаты расчетов и экспериментов занести в таблицу отчета (см. ниже), сделать выводы об эффективности экранирования.

Таблица отчета.

Экран

Алюминий

Латунная сетка

Обычная резина

Электропро-водная резина

Оргстекло

Плотность потока энергии с экраном I2, Вт/м2

Экспериментальная эффективность экрана, дБ

Экспериментальная эффективность экрана, разы

Контрольные вопросы.

1. Назовите источники генерации электромагнитных полей и составляющие последних?

2. Какие виды радиоволн Вы знаете?

3. От каких факторов зависит количество энергии, передаваемое при помощи радиоволн?

4. В каком случае источник радиоволн называют точечным?

5. Какие зоны образуются вокруг любого излучателя электромагнитных излучений?

6. Как оценивается интенсивность электромагнитного излучения, и в каких единицах она измеряется?

7.  Как определить количество энергии поглощенной веществом?

8.  Какие вещества не поглощают излучаемую энергию?

9.  От каких свойств материала зависит количество поглощаемой энергии?

10.При каких значениях плотности потока энергии наблюдаются постоянные изменения в крови и в чем они выражаются?

11.К каким изменениям в организме человека приводит воздействие электромагнитных волн с уровнем превышающим допустимый?

12.Какие защитные меры от воздействия электромагнитных полей и виды защитных устройств Вы знаете?

13.Каков принцип действия и как оценивается эффективность экранирования ЭМП?

14.По какому принципу нормируются ЭМП?

Источник

Насыщаемое поглощение — свойство материалов, заключающееся в том, что поглощение света уменьшается с увеличением интенсивности света. Большинство материалов демонстрируют некоторое насыщаемое поглощение, но часто только при очень высокой оптической интенсивности (близкой к оптическому повреждению). При достаточно высокой интенсивности падающего света атомы в основном состоянии насыщаемого поглощающего материала возбуждаются в состояние с высокой энергией с такой скоростью, что у них недостаточно времени для того, чтобы вернуться в основное состояние, в результате чего поглощение входит в стадию насыщения. Насыщенные поглотители полезны в лазерных полостях. Ключевыми параметрами для насыщаемого поглотителя являются диапазон длин волн (где он поглощает), динамический отклик (как быстро он восстанавливается), а также его интенсивность насыщения и флюенс (при какой интенсивности или энергии импульса он насыщается). Они обычно используются для пассивной модуляции добротности.

Феноменология насыщаемого поглощения[править | править код]

В рамках простой модели насыщенного поглощения скорость релаксации возбуждения не зависит от интенсивности. Следовательно, при непрерывной работе скорость поглощения (или просто поглощение) определяется интенсивностью  :

где — линейное поглощение; — интенсивность насыщения. Эти параметры связаны с концентрацией активных центров в среде, эффективным сечением и временем жизни возбуждений. [1]

Связь с омега-функцией Райта[править | править код]

В простейшем случае, когда лучи поглощающего света параллельны, интенсивность можно описать с помощью закона Бугера–Ламберта,

где — координата в направлении распространения. Подстановка (1) в (2) дает уравнение

Введя безразмерные переменные , уравнение (3) можно переписать в виде

Решение может быть выражено через омега-функцию Райта  :

Связь с функцией Ламберта W[править | править код]

Решение может быть выражено также через связанную W-функцию Ламберта. Пусть , тогда

С новой независимой переменной Уравнение (6) запишется как

Формальное решение может быть записано в виде

где — постоянная, но уравнение может соответствовать нефизическому значению интенсивности (нулевой интенсивности) или необычной ветви W-функции Ламберта.

Флюенс насыщения[править | править код]

Для импульсного режима в предельном случае коротких импульсов, поглощение может быть выражено через флюенс

где время должен быть небольшим по сравнению со временем релаксации среды; предполагается, что интенсивность равна нулю при . Тогда насыщаемое поглощение можно записать следующим образом:

где флюенс насыщения — постоянная.

В промежуточном случае (ни непрерывный, ни короткий импульсный режим) уравнения скорости для возбуждения и релаксации в оптической среде должны рассматриваться вместе.

Флюенс насыщения является одним из факторов, которые определяют порог в усиливающей среде и ограничивают накопление энергии в импульсном дисковом лазере[2].

Механизмы и примеры насыщаемого поглощения[править | править код]

Насыщение поглощения, которое приводит к уменьшению поглощения при высокой интенсивности падающего света, конкурирует с другими механизмами (например, повышением температуры, образованием центров окраски и т. д.), которые приводят к увеличению поглощения.[3][4] В частности, насыщаемое поглощение является лишь одним из нескольких механизмов, которые производят самопульсацию в лазерах, особенно в полупроводниковых лазерах . [5]

Атомы углерода толщиной в один слой, графен, можно увидеть невооруженным глазом, поскольку он поглощает приблизительно 2,3% белого света, что в π раз превышает постоянную тонкой структуры.[6] Отклик графена на насыщаемое поглощение не зависит от длины волны от УФ до ИК, среднего ИК и даже до ТГц-частот.[7][8][9] В свернутых графеновых листах (углеродные нанотрубки ) насыщаемое поглощение зависит от диаметра и хиральности.[10][11]

Микроволновое и терагерцовое насыщаемое поглощение[править | править код]

Насыщаемое поглощение может иметь место даже в микроволновом и терагерцовом диапазонах (что соответствует длине волны от 30 до 300 мкм). Некоторые материалы, например графен, с очень слабой энергетической шириной запрещенной зоны (несколько мэВ), могут поглощать фотоны в микроволновом и терагерцовом диапазонах из-за его межзонного поглощения. В одном отчете отмечается, что микроволновое поглощение графена всегда уменьшается с увеличением мощности и достигает постоянного уровня для мощности, превышающей пороговое значение. Насыщаемое микроволновое поглошение излучения в графене практически не зависит от частоты падающего излучения, что свидетельствует о том, что графен может найти важные применения в графеновых микроволновых фотонных устройствах, таких как: поглотитель СВЧ-излучения, модулятор, поляризатор, обработка микроволнового сигнала, широкополосные сети беспроводного доступа, датчики сети, радары, спутниковая связь и т. д. [12]

Насыщаемое поглощение рентгеновских лучей[править | править код]

Насыщаемое поглощение было продемонстрировано для рентгеновских лучей. В одном исследовании алюминиевую фольгу толщиной 50 нм облучали мягким рентгеновским лазерным излучением (длина волны 13,5 нм). Короткий лазерный импульс выбивал основные электроны L-оболочки, не нарушая кристаллическую структуру металла, делая его прозрачным для мягкого рентгеновского излучения той же длины волны в течение примерно 40 фемтосекунд.[13][14]

См. также[править | править код]

  • Двухфотонное поглощение

Примечания[править | править код]

  1. ↑ Evidence of a saturable-absorption effect in heavily erbium-doped fibers (англ.) // Optics Letters : journal. — 1996. — Vol. 21, no. 24. — P. 1987—1989. — doi:10.1364/OL.21.001987. — Bibcode: 1996OptL…21.1987C. — PMID 19881868.
  2. D.Kouznetsov. Storage of energy in disk-shaped laser materials (англ.) // Research Letters in Physics (англ.)русск. : journal. — 2008. — Vol. 2008. — P. 1—5. — doi:10.1155/2008/717414. — Bibcode: 2008RLPhy2008E..17K.
  3. ↑ Photodarkening measurements in large mode area fibers (англ.) // Proceedings of SPIE : journal. — 2007. — Vol. 6553, no. 5. — P. 783—789. — doi:10.1117/12.712545. — Bibcode: 2007SPIE.6453E..1EK.
  4. L. Dong. Photoinduced absorption change in germanosilicate preforms: evidence for the color-center model of photosensitivity (англ.) // Applied Optics : journal. — 1995. — Vol. 34, no. 18. — P. 3436—3440. — doi:10.1364/AO.34.003436. — Bibcode: 1995ApOpt..34.3436D. — PMID 21052157.

  5. Thomas L. Paoli. Saturable absorption effects in the self-pulsing (AlGa)As junction laser (англ.) // Appl. Phys. Lett. : journal. — 1979. — Vol. 34, no. 10. — doi:10.1063/1.90625. — Bibcode: 1979ApPhL..34..652P.
  6. Kuzmenko, A. B. Universal infrared conductance of graphite (англ.) // Phys Rev Lett : journal. — 2008. — Vol. 100, no. 11. — P. 117401. — doi:10.1103/PhysRevLett.100.117401. — Bibcode: 2008PhRvL.100k7401K. — arXiv:0712.0835. — PMID 18517825.
  7. Zhang, Han. Graphene mode locked, wavelength-tunable, dissipative soliton fiber laser (англ.) // Applied Physics Letters : journal. — 2010. — Vol. 96, no. 11. — doi:10.1063/1.3367743. — Bibcode: 2010ApPhL..96k1112Z. — arXiv:1003.0154.
  8. Z. Sun. Graphene Mode-Locked Ultrafast Laser (англ.) // ACS Nano (англ.)русск. : journal. — 2010. — Vol. 4, no. 2. — P. 803—810. — doi:10.1021/nn901703e. — arXiv:0909.0457. — PMID 20099874.
  9. F. Bonaccorso. Graphene photonics and optoelectronics (англ.) // Nature Photonics : journal. — 2010. — Vol. 4, no. 9. — P. 611—622. — doi:10.1038/NPHOTON.2010.186. — Bibcode: 2010NaPho…4..611B. — arXiv:1006.4854.
  10. F. Wang. Wideband-tuneable, nanotube mode-locked, fibre laser (англ.) // Nature Nanotechnology : journal. — 2008. — Vol. 3, no. 12. — P. 738—742. — doi:10.1038/nnano.2008.312. — Bibcode: 2008NatNa…3..738W.
  11. T. Hasan. Nanotube–Polymer Composites for Ultrafast Photonics (англ.) // Advanced Materials (англ.)русск. : journal. — 2009. — Vol. 21, no. 38—39. — P. 3874—3899. — doi:10.1002/adma.200901122.
  12. Zheng. Microwave and optical saturable absorption in graphene (англ.) // Optics Express (англ.)русск. : journal. — 2012. — Vol. 20, no. 21. — P. 23201—23214. — doi:10.1364/OE.20.023201. — Bibcode: 2012OExpr..2023201Z. — PMID 23188285..
  13. ↑ Transparent Aluminum Is ‘New State Of Matter’. sciencedaily.com (27 июля 2009). Дата обращения 29 июля 2009.
  14. Nagler, Bob. Turning solid aluminium transparent by intense soft X-ray photoionization (англ.) // Nature Physics : journal. — 2009. — Vol. 5, no. 9. — P. 693—696. — doi:10.1038/nphys1341. — Bibcode: 2009NatPh…5..693B.

Источник