Каким свойством должны обладать материал используемый в лазерах

Каким свойством должны обладать материал используемый в лазерах thumbnail

ЛА́ЗЕРНЫЕ МАТЕРИА́ЛЫ, ве­ще­ст­ва, при­ме­няе­мые в ла­зе­рах в ка­че­ст­ве ак­тив­ных сред. В 1960 соз­дан пер­вый ла­зер, в ко­то­ром роль ак­тив­ной сре­ды вы­пол­нял крис­талл ру­би­на (α-Al2O3–Cr3+). Позд­нее поя­ви­лись ла­зе­ры, ра­бо­таю­щие на сме­си га­зов Ne и He (1960), на си­ли­кат­ном стек­ле с при­ме­сью ио­нов Nd3+ (1961), на крис­тал­лах по­лу­про­вод­ни­ко­во­го со­еди­не­ния GaAs (1962), на рас­тво­рах не­оди­ма в не­ор­га­нич. жид­ко­сти SeOCl2, на рас­тво­рах ор­га­нич. кра­си­те­лей (1966). К 2010 из­вест­но неск. со­тен Л. м. во всех аг­ре­гат­ных со­стоя­ни­ях – твёр­дом, жид­ком, га­зо­об­раз­ном и в со­стоя­нии плаз­мы.

Л. м. долж­ны удов­ле­тво­рять ря­ду тре­бо­ва­ний: пре­ж­де все­го иметь на­бор энер­ге­тич. уров­ней, по­зво­ляю­щий эф­фек­тив­но вос­при­ни­мать под­во­ди­мую из­вне энер­гию и с воз­мож­но мень­ши­ми по­те­ря­ми пре­об­ра­зо­вы­вать её в ин­ду­ци­ро­ван­ное элек­тро­маг­нит­ное из­лу­че­ние. Л. м. долж­ны об­ла­дать очень вы­со­кой оп­тич. од­но­род­но­стью: гра­ди­ен­ты по­ка­за­те­ля пре­лом­ле­ния не долж­ны пре­вы­шать 10–5– 10–6 см–1, а оп­тич. по­те­ри на час­то­те ге­не­ра­ции – 10–3–10–4 см–1. Л. м. име­ют вы­со­кую те­п­ло­про­вод­ность, низ­кий ко­эф. тер­мич. рас­ши­ре­ния, обыч­но они стой­кие по от­но­ше­нию к разл. фи­зи­ко-хи­мич. воз­дей­ст­ви­ям, а так­же к воз­дей­ст­вию энер­ге­тич. на­кач­ки и собств. ла­зер­но­го из­лу­че­ния.

Твёр­дые Л. м. долж­ны об­ла­дать до­ста­точ­но вы­со­кой ме­ха­нич. проч­но­стью, что­бы без раз­ру­ше­ния вы­дер­жи­вать ме­ха­нич. об­ра­бот­ку (рез­ку, шли­фов­ку, по­ли­ров­ку) при из­го­тов­ле­нии из них ак­тив­ных эле­мен­тов.

Наи­бо­лее пред­ста­ви­тель­ная груп­па Л. м. – кри­стал­лы с при­ме­ся­ми. Крис­тал­лы не­ор­га­нич. со­еди­не­ний, про­стых и слож­ных по со­ста­ву фто­ри­дов (CaF2, SrF2, LaF3, LiYF4), ок­си­дов и со­лей (α-Al2O3, CaWO4, YVO4, Y3Al5O12, Gd3Ga5O12, YAlO3), суль­фи­дов и се­ле­ни­дов (PbGa2S4, ZnSe, CdSe) со­став­ля­ют ос­но­вы (мат­ри­цы) Л. м. В ка­че­ст­ве ак­тив­ных при­ме­сей ис­поль­зу­ют­ся ио­ны ред­ко­зе­мель­ных эле­мен­тов (Pr3+, Nd3+, Sm2+, Dy2+, Er3+ и др.), пе­ре­ход­ных эле­мен­тов (Fe2+, Co2+, Ni2+, Cr3+ и др.) и U3+. Для по­вы­ше­ния ко­эф. пре­об­ра­зо­ва­ния энер­гии на­кач­ки в энер­гию ла­зер­но­го из­лу­че­ния час­то в кри­стал­лы-мат­ри­цы вво­дят вто­рые при­ме­си, т. н. сен­си­би­ли­за­то­ры, в ка­че­ст­ве ко­то­рых ис­поль­зу­ют ио­ны ред­ко­зе­мель­ных (Er3+, Yb3+) и пе­ре­ход­ных эле­мен­тов (напр., Cr3+).

Осо­бое ме­сто в ря­ду кри­стал­лич. Л. м. за­ни­ма­ют кри­стал­лы с цен­тра­ми ок­рас­ки. В этих Л. м. роль ак­тив­ных цен­тров, ге­не­ри­рую­щих ла­зер­ное из­лу­че­ние, иг­ра­ют де­фек­ты кри­стал­лич. ре­шёт­ки и их ас­со­циа­ты, за­хва­тив­шие или по­те­ряв­шие один элек­трон. В этой мно­го­числ. груп­пе Л. м., в ко­то­рую вхо­дят га­ло­ге­ни­ды ме­тал­лов и не­ко­то­рые ок­сид­ные со­еди­не­ния, вы­де­ля­ют­ся кри­стал­лы LiF c и цен­тра­ми ок­ра­ски. Цен­тры ок­ра­ски обыч­но об­ра­зу­ют­ся при об­лу­че­нии кри­стал­лов LiF разл. ио­ни­зи­рую­щи­ми из­лу­че­ния­ми (γ-лу­ча­ми, бы­ст­ры­ми элек­тро­на­ми).

Кон­цен­тра­ция ак­тив­ных при­ме­сей в кри­стал­лах со­став­ля­ет от 0,05 до не­сколь­ких де­сят­ков про­цен­тов по мас­се. Ге­не­ра­ция воз­бу­ж­да­ет­ся ме­то­дом оп­тич. на­кач­ки; при этом раз­ли­ча­ют спек­траль­но не­се­лек­тив­ную на­кач­ку, ко­гда воз­бу­ж­де­ние про­из­во­дит­ся с по­мо­щью га­зо­разряд­ных ламп, об­ла­даю­щих ши­ро­ким спек­тром из­лу­че­ния, и спек­траль­но се­лек­тив­ную, при ко­то­рой в ка­че­ст­ве ис­точ­ни­ков из­лу­че­ния на­кач­ки ис­поль­зу­ют­ся ла­зер­ные дио­ды или др. ла­зе­ры на кри­стал­лах, об­ла­даю­щие уз­ки­ми спек­тра­ми из­лу­че­ния. Се­лек­тив­ная на­кач­ка обес­пе­чи­ва­ет бо­лее вы­со­кий кпд ге­не­ра­ции (40–80%), чем не­се­лек­тив­ная (до 10%).

Ла­зер­ные кри­стал­лы обыч­но вы­ра­щи­ва­ют­ся пу­тём на­прав­лен­ной кри­стал­ли­за­ции рас­пла­вов в кри­стал­ли­за­ци­он­ных ап­па­ра­тах, обес­пе­чи­ваю­щих вы­со­кую точ­ность под­дер­жа­ния темп-ры рас­пла­ва и ско­ро­сти рос­та кри­стал­ла. Для вы­ра­щи­ва­ния кри­стал­лов ис­поль­зу­ют­ся рас­пла­вы вы­со­кой сте­пе­ни чис­то­ты. Кон­цен­тра­ции при­ме­сей, пре­пят­ст­вую­щих про­цес­су рос­та или ухуд­шаю­щих оп­тич. од­но­род­ность и спек­тро­ско­пич. свой­ст­ва кри­стал­лов, не долж­ны пре­вы­шать 0,01% по мас­се, а ли­ми­ти­руе­мых (наи­бо­лее опас­ных) – 0,001%.

Кри­стал­ли­зуе­мые рас­пла­вы за­клю­че­ны в ци­лин­д­рич. тиг­лях из ту­го­плав­ких ме­тал­лов (Pt, Ir, Mo) или гра­фи­та. В не­ко­то­рых тех­но­ло­ги­ях при­ме­ня­ют­ся спец. кон­тей­не­ры пря­мо­уголь­ной фор­мы из лис­то­во­го Mo. Вы­ра­щен­ные крис­тал­лы, пред­став­ляю­щие со­бой ци­лин­д­рич. бу­ли или пря­мо­уголь­ные пла­сти­ны, как пра­ви­ло, под­вер­га­ют­ся от­жи­гу для сня­тия внутр. ме­ха­нич. на­пря­же­ний. Мас­са вы­ра­щен­ных кри­стал­лов мо­жет дос­ти­гать не­сколь­ких де­сят­ков кг. Из вы­ра­щен­ных кри­стал­лов вы­ре­за­ют­ся ла­зер­ные ак­тив­ные эле­мен­ты в ви­де ци­лин­д­рич. стерж­ней дли­ной от не­сколь­ких мм до 250 мм и диа­мет­ром 2–20 мм, пря­мо­уголь­ных пла­стин и дис­ков. Ра­бо­чие по­верх­но­сти ак­тив­ных эле­мен­тов шли­фу­ют­ся и по­ли­ру­ют­ся по вы­со­ко­му клас­су точ­но­сти: па­рал­лель­ность тор­цов не ни­же 3–5″, а ше­ро­хо­ва­тость по­верх­но­стей не боль­ше 0,01 мкм.

К нач. 21 в. ши­ро­кое рас­про­стра­не­ние по­лу­чи­ли но­вые кри­стал­лич. Л. м. – т. н. ла­зер­ная оп­тич. ке­ра­ми­ка. В от­ли­чие от мо­но­кри­стал­лов, об­ла­даю­щих не­пре­рыв­ной, стро­го упо­ря­до­чен­ной струк­ту­рой, ла­зер­ная ке­ра­ми­ка пред­став­ля­ет со­бой по­ли­кри­стал­лич. ма­те­ри­ал, сло­жен­ный из мо­но­кри­стал­лич. зё­рен мик­рон­но­го раз­ме­ра. Ос­но­вой ла­зер­ных ке­ра­мик яв­ля­ют­ся не­ко­то­рые ок­сид­ные и фто­рид­ные со­еди­не­ния с ку­бич. кри­стал­лич. струк­ту­рой. Ке­ра­мич. Л. м. по­лу­ча­ют ком­пак­ти­ро­ва­ни­ем ис­ход­ных на­но­раз­мер­ных по­рош­ков. На на­чаль­ной ста­дии ком­пак­ти­ро­ва­ния ис­поль­зу­ет­ся ме­тод т. н. шли­кер­но­го ли­тья – оса­ж­де­ния плот­но­го осад­ка по­рош­ка из кон­цент­рир. сус­пен­зии, по­ме­щён­ной в спец. по­рис­тую во­до­по­гло­щаю­щую ке­ра­мич. фор­му. В за­клю­чит. ста­дии по­рис­тая за­го­тов­ка спе­ка­ет­ся в ва­ку­ум­ной пе­чи при темп-ре ни­же темп-ры плав­ле­ния ма­те­риа­ла. В про­цес­се спе­ка­ния про­ис­хо­дит тер­мо­сти­му­ли­ро­ван­ная са­мо­ор­га­ни­за­ция на­но­ча­стиц и за­го­тов­ка пре­вра­ща­ет­ся в мак­си­маль­но плот­ный оп­ти­че­ски про­зрач­ный ма­те­ри­ал. Пре­иму­ще­ст­во ла­зер­ной оп­тич. ке­ра­ми­ки пе­ред ла­зер­ны­ми кри­стал­ла­ми – су­ще­ст­вен­но бо­лее вы­со­кая ме­ха­нич. проч­ность. Кро­ме то­го, по­яв­ля­ет­ся воз­мож­ность за­да­вать про­из­воль­ные фор­му и раз­ме­ры ла­зер­ных эле­мен­тов.

Читайте также:  Какие прямые называются перпендикулярными каким свойством обладают 2 прямые

См. так­же Ла­зер­ные стёк­ла.

Источник

Естествознание, 11 класс

Урок 19. Свойства лазерного излучения. Использование лазеров

Перечень вопросов, рассматриваемых в теме:

  • Какие свойства у лазерного излучения?
  • Какие типы лазеров существуют?
  • Где применяются лазеры?

Глоссарий по теме:

Лазер – оптический квантовый генератор

Спонтанное излучение – самопроизвольное излучение кванта света атомом или молекулой при переходе электрона на более низкий энергетический уровень

Вынужденное излучение – явление испускания фотонов определённой частоты возбужденными атомами, молекулами и другими квантовыми системами под действием фотонов (внешнего излучения) такой же частоты

Метастабильное состояние атома – возбужденное энергетические состояние, которое может существовать достаточно долго ≈ 10-3с

Основная и дополнительная литература по теме урока (точные библиографические данные с указанием страниц):

  • Естествознание. 11 класс: Учебник для общеобразоват. организаций: базовый уровень под ред. И.Ю. Алексашиной. – 3-е изд. – М.: Просвещение, 2017 – §28, С. 100-103.
  • Физика. 11 класс [Текст]: учебник для общеобразоват. учреждений: базовый уровень; профильный уровень/А.В. Грачев, В.А. Погожев, А.М. Салецкий и др.- М.: Вентана-Граф, 2018. – 464 с.
  • https://fb.ru/article/251655/printsip-deystviya-lazera-osobennosti-lazernogo-izlucheniya

Теоретический материал для самостоятельного изучения

Изучая корпускулярные свойства света, мы уже познакомились с лазером. Процесс излучения обусловлен переходом электрона с более высокого энергетического уровня на более низкий. Излучение кванта света в таком процессе происходит самопроизвольно и называется спонтанным излучением. Лазер усиливает свет за счёт вынужденного излучения.

Рассмотрим устройство лазера на примере рубинового.

В центре находится кристалл рубина, состоящий из атомов алюминия и кислорода с небольшой примесью атомов хрома. Этот кристалл имеет строго параллельные торцы и на него навита спиральная газоразрядная лампа, называемая – лампа накачки. Под действием света лампы атомы хрома переходят на метастабильный уровень. Параллельные торцы кристалла покрывают тонким слоем серебра, делая их зеркальными, при этом один из зеркальных торцов делают частично прозрачным. Выходящее из этого торца излучение и представляет собой луч лазера. Устройство, обеспечивающее многократное отражение фотонов только одного направления, называется резонатором. Резонатор состоит из рабочей зоны с зеркалами с двух сторон. Причём одно из них частично прозрачное.

Рассмотрим свойства лазерного излучения.

Высокая монохроматичность: при разложении лазерного излучения в спектр получается очень узкая линия, намного уже, чем для естественного света. Это свойство оказалось важным для научных исследований в области спектроскопии, молекулярной физики и химии.

Лазерное излучение кроме высокой монохроматичности обладает также очень малым угловым расхождением пучка (в 104 раз меньше, чем у традиционных оптических осветительных систем, например, у прожектора). Малая угловая расходимость позволяет фокусировать излучение линзами и вогнутыми зеркалами вплоть до 1 мкм и создавать значительные плотности мощности на облучённых участках. По этому показателю лазерное излучение превосходит излучение всех других источников света.

Ещё одно свойство – высокая интенсивность и короткая длительность. Она позволяет сконцентрировать в малом объеме значительную энергию. Лазер не требует времени для нагрева, поэтому возможно получать импульсы длительностью 10-15с. Это позволяет рассмотреть даже процесс протекания быстрых химических реакций.

Помимо всех вышеперечисленных свойств также можно выделить когерентность и поляризованность. Эти характеристики важны в диагностических исследованиях. Лазерное излучение обладает высокой когерентностью за счет явления вынужденного излучения. Излучение, создаваемое отдельными точками активной среды, имеет сдвиги фазы, соответствующие распространению одной плоской электромагнитной волны, так что из лазера выходит электромагнитная волна с постоянной фазой и амплитудой.

Конструкции лазеров очень разнообразны. Лазеры различаются: способом накачки (оптическая накачка, возбуждение электронным ударом, химическая накачка и т. п.); рабочей активной средой (газы, жидкости, стекла, кристаллы, полупроводники и т.д.); конструкцией резонатора; режимом работы (импульсный, непрерывный). Эти различия определяются многообразием требований к характеристикам лазера в связи с его практическими применениями.

Благодаря своим особым свойствам по сравнению с другими источниками света лазеры широко применяются во многих областях деятельности человека.

Узкий нерасходящийся луч применяется при строительстве туннелей, метрополитенов, когда необходимо провести прямую линию на большое расстояние. При помощи специальной установки создается лазерный луч, определяющий трассу. Ориентируясь на него, управляющий экскаватором человек может стабильно трудиться. Также это свойство лазеров применимо для создания оружия с оптическим прицелом. Используя хорошо отлаженное оружие, пуля попадает точно в пятно, образованное лазером на мишени

Точная фокусировка лазерного луча позволяет использовать его для записи информации на оптические диски.

Высокая интенсивность излучения используется в медицине, в частности в микрохирургии. Лазер представляет собой тончайший скальпель, с помощью которого можно вырезать мельчайшие участки ткани.

Это же свойство применяется и других устройствах для разрезания различных материалов, проделывания отверстий. При воздействии лазерного излучения на материалы облучаемый участок сначала нагревается, затем плавится и испаряется. Дозируя тепловые нагрузки, можно обеспечить практически любой тепловой режим нагреваемого участка, который в результате и определяет вид технологической обработки.

Читайте также:  В каких механизмах использованы свойства

Использование лазеров привело к открытию совершенно новых областей исследования. Особенно ярким примером новой области исследования является нелинейная оптика. Высокая интенсивность лазерного излучения позволяет наблюдать явления, обусловленные нелинейным откликом среды: генерация гармоник, вынужденное рассеяние и др.

С появлением лазеров спектроскопия не только расширила свои прежние возможности, но и получила совершенно новые идеи. Использование одночастотных лазеров позволило проводить спектроскопические измерения с разрешающей способностью, которая на много порядков превышает разрешение, достигаемое с помощью обычных спектроскопических методов. Это открыло путь к новому и более детальному изучению структуры вещества.

Осуществление термоядерного синтеза и использование его в мирных целях позволит человечеству получить неограниченный источник энергии. Предполагают, что лазеры позволят создать высокую температуру для дейтериево-тритиевой плазмы и удержания этой плазмы.

Лазеры, обладая высокой монохроматичностью, применяются в голографии.

Полупроводниковые лазеры применяются для передачи информации в быту и системе космической связи

Всё большее применение лазеры находят в искусстве. С их помощью создаются феерические быстроизменяющиеся живописные картины на сцене.

Таким образом благодаря уникальным свойствам лазеры находят применение в различных областях промышленности, в медицине, искусстве, военном деле.

Примеры и разбор решения заданий тренировочного модуля:

Текст задания 1.:

Попарно соединяя овалы, решите ребус-соответствие:

Фразы:

  • Прибор, в котором используют лазерный луч
  • Оптический квантовый генератор
  • Оптический прибор для просмотра стерео-слайдов
  • Стереоскоп
  • Дисковод
  • Лазер

Правильный вариант: надписи в соединённых фигурах должны составить следующие фразы:

  1. Прибор, в котором используют лазерный луч – дисковод
  2. Оптический квантовый генератор – лазер.
  3. Оптический прибор для просмотра стереослайдов – стереоскоп.

Текст задания 2.:

Разместите предложенные варианты ответов в две колонки по указанному критерию

Типы лазеров по способу накачки

Типы лазеров по виду активной среды

Свойства лазерного излучения

Монохроматичность, твёрдотельные, интенсивность, полупроводниковые, жидкостные, когерентность, химические, газовые, оптические, электрические, направленность

Правильные варианты

Типы лазеров по способу накачки

Типы лазеров по виду активной среды

Свойства лазерного излучения

Оптические, электрические, полупроводниковые, химические

Твердотельные, жидкостные, газовые

Монохроматичность, интенсивность, когерентность, направленность

Источник

  1. Химическая энциклопедия

ЛАЗЕРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

вещества, используемые в качестве активных сред лазеров. Осн. Л. м. — диэлектрич. кристаллы и стекла, полупроводниковые кристаллы, газы, неорг. жидкости и растворы красителей. Диэлектрич. кристаллы и стекла — активные среды твердотельных лазеров. Излучение в них генерируется в результате переходов между энергетич. уровнями, как правило, примесных активных ионов (ионы РЗЭ и переходных металлов; чаще всего Nd3+ ) и т. наз. центров окраски (напр., F — центры в кристаллах некоторых фторидов). Среди наиб. известных лазерных кристаллов Y3Al5O12-Nd3+, Y3Al5O12-Er3+, YAlO3-Nd3+, KGd(WO4)2-Nd3+, LiYF4-Nd3+, ВeAl2O4-Cr3+, Al2O3-Cr3+, Cd3Se2Ga3O12-Cr3+-Nd3+. Кристаллы Y3Al5O12-Nd3+ по совокупности эксплуатац. свойств превосходят др. неодимовые Л. м. Среди стекол широкое практич. применение нашли многокомпонентные стекла на силикатной и фосфатной основе, содержащие ионы Nd3+. Концентрация активных ионов в кристаллах и стеклах обычно составляет 1–2% по массе, что соответствует наличию 1020 частиц в 1 см3; в некоторых матрицах (напр., кристаллы NdxLa1-xР5О14, неодимовые фосфатные стекла) концентрация активных ионов может достигать 10–15% по массе, т. е. более 1021 частиц в 1 см3. Столь высокая плотность активных частиц позволяет получать значит. мощность генерации с единичного объема Л. м. Кристаллы для лазеров выращивают преим. путем направленной кристаллизации из расплавов (напр., по методу Чохральского); стекла варят в керамич. и платиновых сосудах. Количество посторонних примесей в исходных веществах не должно превышать 10−3–10−4 % по массе. На диэлектрич. кристаллах и стеклах созданы лазеры, работающие в разл. режимах и излучающие преим. в диапазоне длин волн 1–3 мкм. Их мощности генерации достигают 1 кВт в непрерывном режиме (кристаллы Y3Al5O12-Nd3+), 1013 Вт в импульсном режиме при длительности импульса 1 нс (стекло с Nd3+ ); кпд 1–5%. Осн. недостатки этого типа Л. м. — сложность выращивания кристаллов больших размеров и высокого оптич. качества, низкая теплопроводность и невысокие мех. свойства стекол, что препятствует созданию лазеров на стекле, работающих в непрерывном или периодич. режиме при большой средней мощности накачки. Полупроводниковые кристаллы — активные среды полупроводниковых лазеров. Излучение в них генерируется в результате переходов между энергетич. уровнями зоны проводимости и валентной зоны. Используют полупроводники типа AIIBVI, AIIIBV, AIVBVI. Активные элементы изготовляют из монокристаллощ (напр., CdS, GaAs, InAs, PbS), содержащих в своем объеме области, для которых характерен электронно-дырочный переход (р-n-переход), и из кристаллич. гетероструктур, образованных чередованием кристаллич. слоев, различающихся по хим. составу, но имеющих одинаковый период кристаллич. решетки. Наиб. распространены гетероструктуры, образованные слоями полупроводников типа АIIIВV на основе арсенидов, фосфидов, антимонидов Ga и Al и их твердых растворов. Гетероструктуры получают также на основе многокомпонентных (тройных и более) твердых растворов замещения (напр., AlxGa1-xAs), в которых при изменении состава в широких пределах период решетки не меняется. Полупроводниковые монокристаллы получают из особо чистых исходных веществ кристаллизацией из расплавов (метод Чохральского, горизонтально направленная или зонная кристаллизация в контейнере, бестигельная зонная плавка) и эпитаксиальным выращиванием тонких кристаллич. слоев при кристаллизации из газовой фазы или расплавов твердых растворов. Необходимые характеристики достигаются введением примесей в расплав или методом ионного внедрения примесных атомов. В качестве легирующих примесей используют, напр., элементы II (Zn, Cd, Mg; акцепторы электронов), IV, VI (Sn, Те, Se, S; доноры) групп. Благодаря разнообразию полупроводниковых кристаллов созданы лазеры, излучающие в диапазоне длин волн 0,3–30 мкм, обладающие малой инерционностью (~10−9 с) и высоким кпд (до 50%), работающие как в импульсном, так и в непрерывном режиме (мощности 105 Вт при длительности импульса 3 нс и 10 Вт соответственно). Лучевая прочность полупроводниковых Л. м. ограничивает выходную мощность лазеров. Газы используются как активные среды разл. газовых лазеров. Активными частицами в них м. б. нейтральные атомы (Не, Cu, I), устойчивые молекулы (CO2, CO, N2, HF), эксимерные молекулы (Ar2, Kr2, ArF, KrF), ионы инертных газов (Ar2+ , Ar3+ , Kr2+, Kr3+ Ne2+ , Ne3+ ), пары металлов (Cu+, Cd2+). Малая плотность газов ограничивает плотность активных частиц величиной 1015–1016 см+3, в связи с чем энергосъем с единичного объема газовой активной среды невелик. В одних случаях активной средой являются исходные газы или газовые смеси (напр., СО; смесь He-Ne, в которой активными частицами служат атомы Ne, смеси CO2 с N2 и парами H2O или Не, в которых активные частицы — молекулы CO2), в других — приготовление активной среды происходит в процессе работы лазера, напр. при ионизации нейтральных атомов инертных газов (лазеры на ионизир. газах), образовании возбужденных атомов, радикалов и молекул в результате инициир. хим. реакций (лазеры химические), образовании эксимерных молекул (эксимерные лазеры), испарении металлов (лазеры на парах металлов). Вследствие разнообразия активных газовых сред созданы лазеры, перекрывающие диапазон длин волн от вакуумной УФ области до субмиллиметровых. Мощности генерации составляют 105 Вт в непрерывном режиме (газодинамич. CO2 — лазер) и 1011 Вт в импульсном режиме при длительности импульса 20 нс (хим. HF — лазер). Лазеры на нейтральных атомах, ионизованных газах и парах металлов имеют кпд ~0,1%, кпд газодинамич. лазеров ~1%, кпд мол. лазеров может достигать 25%. Благодаря большой однородности активных газовых сред расходимость лазерного излучения очень незначительна и близка к дифракц. пределу. Неорг. жидкости и растворы краентелей — активные среды жидкостных лазеров. Наиб. часто применяют активные неорг. жидкости на основе POCl3-SnCl4, SeOCl2 и SOCl2 с примесью ионов Nd3+. Генерационными переходами в них являются переходы между уровнями энергии ионов Nd3+ (1020 частиц в 1 см3) и молекулами красителей. В лазерах на POQ3-SnCl4 (или ZrCl4)-Nd3+ достигнута импульсная мощность генерации 1010 Вт при длительности импульса 20 не, кпд — неск. %. В лазерах на красителях применяют ксантеновые, метиновые, оксазиновые красители, производные оксазола и диазола, кумарины и фталимиды. Растворители — спирты, глицерин, H2SO4, вода и др. В пределах широких полос излучения красителей возможна плавная перестройка частоты генерации. Лазеры на красителях излучают в диапазоне длин волн 0,34–1,1 мкм; при лазерной накачке в непрерывном режиме генерации достигнута выходная мощность 20 Вт, в импульсном режиме — 108 Вт при длительности импульса 10 нс. Потенциальное преимущество жидкостей перед др. Л. м. — сочетание высокой плотности активных частиц и высокой оптич. однородности в больших объемах.

Читайте также:  Какие свойства имеет корица

Лит.: Справочник по лазерам, под ред. А. М. Прохорова, пер. с англ., т. 1–2, М., 1978; Елисеев П. Г., в сб.: Итоги науки и техники, сер. Радиотехника, т. 14, ч. I, М., 1978; Алексеев Н. Е., Гапонцев В. И., Жаботинский М. Е., Лазерные фосфатные стекла, М., 1980; Физика и спектроскопия лазерных кристаллов, М., 1986; Аникеев Ю. Г., Жаботинский М. Е., Кравченко В. Б., Лазеры на неорганических жидкостях, М., 1986; Bennet W. R., The physics of gas lasers, N. Y., 1977.

Б. И. Денкер

Источник:
Химическая энциклопедия
на Gufo.me

Значения в других словарях

  1. Лазерные материалы —
    Вещества, применяемые в Лазерах в качестве активных сред. В 1960 был создан первый лазер, в котором роль активной среды выполнял кристалл рубина (Al2O3 — Сг3+).
    Большая советская энциклопедия
  2. ЛАЗЕРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ —
    ЛАЗЕРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ — вещества, используемые для создания активных сред в лазерах. Применяют диэлектрические монокристаллы и стекла с активными примесями (напр., ионами Cr, Nd) — некоторые полупроводниковые материалы, газы (напр.
    Большой энциклопедический словарь

Каким свойством должны обладать материал используемый в лазерах

Источник