На каком свойстве основана кристаллизация

На каком свойстве основана кристаллизация thumbnail

Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии, проверенной 29 октября 2015;
проверки требуют 18 правок.

Кристаллизация воды с образованием льда

Кристаллиза́ция (от греч. κρύσταλλος, первоначально — лёд, в дальнейшем — горный хрусталь, кристалл) — процесс образования кристаллов из газов, растворов, расплавов или стёкол. Кристаллизацией называют также образование кристаллов с данной структурой из кристаллов иной структуры (полиморфные превращения) или процесс перехода из жидкого состояния в твёрдое кристаллическое. Благодаря кристаллизации происходит образование минералов и льда, зубной эмали и костей живых организмов. Одновременный рост большого количества мелких кристаллов (массовая кристаллизация) используется в металлургии и в других отраслях промышленности[1]. В химической промышленности кристаллизация используется для получения веществ в чистом виде.

  1. Процесс кристаллизации начинается только после охлаждения жидкости до определённой температуры.
  2. Во время кристаллизации температура не меняется.
  3. Температура кристаллизации равна температуре плавления.

При образовании кристаллов происходит фазовый переход, то есть переход вещества из одной термодинамической фазы в другую. Образование кристаллов из газов, растворов, расплавов или стёкол представляет собой фазовый переход первого рода, а кристаллизация при полиморфных превращениях может быть фазовым переходом второго рода[1].

Кристаллизация начинается при достижении некоторого предельного условия, например, переохлаждения жидкости или пересыщения пара, когда практически мгновенно возникает множество мелких кристалликов — центров кристаллизации. Кристаллики растут, присоединяя атомы или молекулы из жидкости или пара. Рост граней кристалла происходит послойно, края незавершённых атомных слоев (ступени) при росте движутся вдоль грани. Зависимость скорости роста от условий кристаллизации приводит к разнообразию форм роста и структуры кристаллов (многогранные, пластинчатые, игольчатые, скелетные, дендритные и другие формы, карандашные структуры и т. д.). В процессе кристаллизации неизбежно возникают различные дефекты.

На число центров кристаллизации и скорость роста значительно влияет степень переохлаждения.

Степень переохлаждения — уровень охлаждения жидкого металла ниже температуры перехода его в кристаллическую (твёрдую) модификацию. Переохлаждение необходимо для компенсации энергии скрытой теплоты кристаллизации.
Первичной кристаллизацией называется образование кристаллов в металлах (сплавах и жидкостях) при переходе из жидкого состояния в твёрдое.

Примечания[править | править код]

Ссылки[править | править код]

  • [www.xumuk.ru/encyklopedia/2192.html статья Кристаллизация на www.xumuk.ru]
  • Под ред. И. Л. Кнунянца. Кристаллизация // Химическая энциклопедия. — Советская энциклопедия (рус.). — М., 1988.

Некоторые внешние ссылки в этой статье ведут на сайты, занесённые в спам-лист.

Эти сайты могут нарушать авторские права, быть признаны неавторитетными источниками или по другим причинам быть запрещены в Википедии. Редакторам следует заменить такие ссылки ссылками на соответствующие правилам сайты или библиографическими ссылками на печатные источники либо удалить их (возможно, вместе с подтверждаемым ими содержимым).

Список проблемных доменов

Источник

КРИСТАЛЛИЗА́ЦИЯ, об­ра­зо­ва­ние кри­стал­лов из рас­пла­вов, рас­тво­ров, га­зо­вой фа­зы или плаз­мы, а так­же из аморф­ных ве­ществ или кри­стал­лов др. струк­ту­ры. В про­цес­се К. ато­мы, мо­ле­ку­лы или ио­ны ве­ще­ст­ва вы­страи­ва­ют­ся в кри­стал­ли­че­скую ре­шёт­ку. К. яв­ля­ет­ся не­рав­но­вес­ным фа­зо­вым пе­ре­хо­дом 1-го ро­да. Ус­ло­вия рав­но­ве­сия кри­стал­ла со сре­дой (рас­пла­вом, па­ром, рас­тво­ром и др.) оп­ре­де­ля­ют­ся как фа­зо­вое рав­но­ве­сие аг­ре­гат­ных со­стоя­ний ве­ще­ст­ва при фа­зо­вых пе­ре­хо­дах 1-го ро­да: ра­вен­ст­во темп-ры, дав­ле­ния и хи­мич. по­тен­циа­ла. Не­об­хо­ди­мое ус­ло­вие рос­та кри­стал­ла – от­кло­не­ние от рав­но­ве­сия, оп­ре­деля­емое пе­ре­ох­ла­ж­де­ни­ем (от­ли­чи­ем темп-ры от рав­но­вес­ной) и пе­ре­сы­ще­ни­ем (от­ли­чи­ем дав­ле­ния или кон­цен­тра­ции от рав­но­вес­ных зна­че­ний). Тер­мо­ди­на­мич. дви­жу­щая си­ла фа­зо­во­го пе­ре­хо­да тем вы­ше, чем боль­ше от­кло­не­ние от рав­но­ве­сия. Пе­ре­ход ве­ще­ст­ва в кри­стал­лич. фа­зу со­про­во­ж­да­ет­ся вы­де­ле­ни­ем скры­той те­п­ло­ты К., и при не­пол­ном от­во­де этой те­п­ло­ты воз­мож­но умень­ше­ние от­кло­не­ния от рав­но­ве­сия и за­мед­ле­ние про­цес­са. Как фа­зо­вый пе­ре­ход 1-го ро­да К. со­про­во­ж­да­ет­ся скач­ком удель­но­го объ­ё­ма по от­но­ше­нию к ис­ход­ной фа­зе, и это мо­жет при­во­дить к из­ме­не­нию дав­ле­ния в кри­стал­ли­зую­щей­ся сис­те­ме. Та­ким об­ра­зом, К. – это слож­ный про­цесс те­п­ло­мас­со­пе­ре­но­са, ко­то­рый управ­ля­ет­ся тер­мо­ди­на­мич. и ки­не­тич. фак­то­ра­ми. Мно­гие из них труд­но кон­тро­ли­ро­вать. Уро­вень чис­то­ты, темп-ра и кон­цен­тра­ция ком­по­нен­тов в не­по­сред­ст­вен­ной бли­зо­сти к фа­зо­вой гра­ни­це, пе­ре­ме­ши­ва­ние, те­п­ло­об­мен мо­гут быть гл. фак­то­ра­ми, оп­ре­де­ляю­щи­ми раз­мер, чис­ло и фор­му воз­ни­каю­щих кри­стал­лов.

Центры кристаллизации

Про­цесс К. со­сто­ит из двух ста­дий: за­ро­ж­де­ние цен­тров К. и рост кри­стал­лов. На­чаль­ная ста­дия – за­ро­ж­де­ние цен­тров К. – пред­став­ля­ет со­бой об­ра­зо­ва­ние кла­сте­ров с ха­рак­тер­ной для кри­стал­ла упо­ря­до­чен­но­стью. Но ино­гда их струк­ту­ра мо­жет от­ли­чать­ся от струк­ту­ры ус­той­чи­во­го мак­ро­ско­пич. кри­стал­ла. Об­ра­зо­ва­ние та­ких кла­сте­ров в чис­тых жид­ко­стях или га­зах про­ис­хо­дит ни­же темп-ры плав­ления мас­сив­но­го кри­стал­ла в ре­зуль­та­те слу­чай­ных столк­но­ве­ний при те­п­ло­вом дви­же­нии ато­мов или мо­ле­кул. При темп-рах ни­же рав­но­вес­ной объ­е­ди­не­ние час­тиц в кри­стал­лич. кла­стер тер­мо­ди­на­ми­че­ски вы­год­но, но по­яв­ле­ние его но­вой по­верх­но­сти тре­бу­ет за­тра­ты энер­гии, что яв­ля­ет­ся пре­пят­ст­вую­щим фак­то­ром при за­ро­ж­де­нии цен­тров К. Чем мень­ше кла­стер, тем бóльшая до­ля час­тиц со­став­ля­ет его по­верх­ность. По­это­му при ма­лых раз­ме­рах боль­шин­ст­во кла­сте­ров рас­па­да­ет­ся вслед­ст­вие флук­туа­ций ко­ле­ба­тель­ной энер­гии час­тиц. С рос­том кла­сте­ра до­ля по­верх­но­ст­ной энер­гии умень­ша­ет­ся по от­но­ше­нию к объ­ём­ной энергии объ­е­ди­не­ния час­тиц, что по­вы­ша­ет ус­той­чи­вость кла­сте­ра. При за­дан­ном пе­ре­сы­ще­нии су­ще­ст­ву­ет кри­тич. раз­мер, при пре­вы­ше­нии ко­то­ро­го кла­сте­ры спо­соб­ны к даль­ней­ше­му рос­ту и ста­но­вят­ся цен­тра­ми кри­стал­ли­за­ции. 

Чис­лен­ной ха­рак­те­ри­сти­кой ин­тен­сив­но­сти за­ро­ж­де­ния цен­тров К. яв­ля­ет­ся час­то­та за­ро­ды­ше­об­ра­зо­ва­ния (нук­леа­ции) – чис­ло цен­тров, воз­ни­каю­щих в еди­ни­цу вре­ме­ни в еди­ни­це объ­ё­ма сре­ды. Су­ще­ст­вую­щая тео­рия объ­яс­ня­ет тем­пе­ра­тур­ную за­ви­си­мость час­то­ты нук­леа­ции и свя­зы­ва­ет её с па­ра­мет­ра­ми сре­ды, в ко­то­рой идёт об­ра­зо­ва­ние цен­тров К. Для жид­ко­стей с ма­лой вяз­ко­стью, напр. для боль­шин­ст­ва рас­плав­лен­ных ме­тал­лов, тео­рия пред­ска­зы­ва­ет боль­шие пе­ре­ох­ла­ж­де­ния, при ко­то­рых долж­но на­блю­дать­ся спон­тан­ное за­ро­ж­де­ние цен­тров К. При даль­ней­шем уве­ли­че­нии пе­ре­ох­ла­ж­де­ния час­то­та ну­кле­ации бы­ст­ро воз­рас­та­ет, дос­ти­гая мак­си­му­ма при темп-ре, при­бли­зи­тель­но рав­ной од­ной тре­ти темп-ры рав­но­ве­сия кри­стал­ла с рас­пла­вом. Бы­ст­рый спад час­то­ты за­ро­ж­де­ния цен­тров К. при ещё бо­лее низ­ких темп-рах обу­слов­лен за­мед­ле­ни­ем те­п­ло­во­го дви­же­ния и силь­ным воз­рас­та­ни­ем вяз­ко­сти. Для бо­лее вяз­ких жид­ко­стей мак­си­мум час­то­ты сдви­нут в сто­ро­ну бо­лее низ­ких пе­ре­ох­ла­ж­де­ний и са­ми зна­че­ния час­то­ты зна­чи­тель­но ни­же.

По­сколь­ку мн. па­ра­мет­ры тео­рии из­вест­ны с не­дос­та­точ­ной для рас­чё­тов точ­но­стью, важ­ную роль иг­ра­ют экс­пе­рим. дан­ные. При­бли­же­ние к иде­аль­ным ус­ло­ви­ям дос­ти­га­ет­ся ис­поль­зо­ва­ни­ем в опы­тах ма­лых ка­пель жид­ко­стей диа­мет­ром от не­сколь­ких мик­ро­мет­ров до на­но­мет­ров. При спон­тан­ном за­ро­ж­де­нии тре­бу­ют­ся боль­шие от­кло­не­ния от рав­но­ве­сия, а цен­тры К. ха­рак­те­ри­зу­ют­ся кри­тич. раз­ме­ром по­ряд­ка од­но­го на­но­мет­ра. Напр., для рас­пла­вов чис­тых ме­тал­лов на­блю­дае­мая в опы­тах темп-ра спон­тан­но­го за­ро­ж­де­ния цен­тров К. со­став­ля­ет 30–50% от темп-ры плав­ле­ния. Мн. си­ли­кат­ные рас­пла­вы при ох­ла­ж­де­нии во­об­ще за­твер­де­ва­ют без К., об­ра­зуя стёк­ла. Экс­пе­ри­мен­таль­но по­ка­за­но, что в вяз­ких жид­ко­стях про­цесс за­ро­ж­де­ния цен­тров К. не­ста­цио­на­рен. Это оз­на­ча­ет, что ха­рак­тер­ная для за­дан­но­го от­кло­не­ния от рав­но­ве­сия час­то­та за­ро­ж­де­ния цен­тров К. по­яв­ля­ет­ся толь­ко по ис­те­че­нии вре­ме­ни за­паз­ды­ва­ния, ко­то­рое мо­жет быть дос­та­точ­но боль­шим, срав­ни­мым или да­же пре­вы­шаю­щим вре­мя ох­ла­ж­де­ния об­раз­ца. Ме­тал­лич. рас­пла­вы ха­рак­те­ри­зу­ют­ся зна­чи­тель­но мень­шей вяз­ко­стью, и по­дав­ле­ние спон­тан­но­го за­ро­ж­де­ния цен­тров К. для не­ко­то­рых спла­вов воз­мож­но лишь при очень бы­ст­ром ох­ла­ж­де­нии (со ско­ро­стью св. 106 К/c). Это ле­жит в ос­но­ве тех­но­ло­гии по­лу­че­ния аморф­ных ме­тал­лов. Ста­биль­ность аморф­но­го со­стоя­ния обес­пе­чи­ва­ет­ся силь­ным за­мед­ле­ни­ем об­ме­на ато­ма­ми ме­ж­ду кри­стал­лом и сре­дой при низ­ких темп-рах. На­блю­дать К. по­лу­чен­но­го та­ким об­ра­зом аморф­но­го со­стоя­ния мож­но при на­гре­ва­нии, уве­ли­чи­вая ин­тен­сив­ность те­п­ло­во­го дви­же­ния, а вы­де­ляю­щая­ся при этом скры­тая те­п­ло­та фа­зо­во­го пе­ре­хо­да мо­жет су­ще­ст­вен­но ин­тен­си­фи­ци­ро­вать про­цесс, до­пол­ни­тель­но по­вы­шая темп-ру. Для не­ко­то­рых ве­ществ (гер­ма­ний, крем­ний, аморф­ный лёд) на­блю­да­ет­ся взрыв­ная К. аморф­но­го со­стоя­ния.

В за­гряз­нён­ных сре­дах цен­тры К. воз­ни­ка­ют на по­сто­рон­них кри­стал­лич. час­ти­цах при го­раз­до мень­ших от­кло­не­ни­ях от рав­но­ве­сия. Час­то­та за­ро­ж­де­ния цен­тров К. в та­ких слу­ча­ях за­ви­сит так­же от ма­те­риа­ла сте­нок со­су­да, дей­ст­вия из­лу­че­ний. За­ро­ды­ше­вые кри­стал­лы на хо­ро­шо сма­чи­ваю­щей­ся ори­ен­ти­рую­щей по­верх­но­сти име­ют при­бли­зи­тель­но ку­по­ло­об­раз­ную фор­му, за­трат­ная до­ля по­верх­но­ст­ной энер­гии у них мень­ше по срав­не­нию с объ­ём­ным вы­иг­ры­шем при аг­ре­ги­ро­ва­нии час­тиц в та­кой кри­стал­лик. По­это­му та­кое ге­те­ро­ген­ное за­ро­ж­де­ние цен­тров К. про­ис­хо­дит при мень­ших пе­ре­ох­ла­ж­де­ни­ях. Кон­тро­ли­руе­мое ге­те­ро­ген­ное за­ро­ж­де­ние цен­тров К. ис­поль­зу­ет­ся, напр., при эпи­так­си­аль­ном по­лу­че­нии мо­но­кри­стал­лич. плё­нок. При вы­ра­щи­ва­нии на за­тра­воч­ном цен­тре К. круп­ных со­вер­шен­ных мо­но­кри­стал­лов, со­дер­жа­щих ми­ни­маль­но воз­мож­ное чис­ло де­фек­тов, не­об­хо­ди­мо из­бе­гать по­яв­ле­ния спон­тан­ных за­ро­ды­шей. Для это­го ис­поль­зу­ют не­боль­шое от­кло­не­ние от ус­ло­вий рав­но­ве­сия. В ме­тал­лур­гии при по­лу­че­нии кри­стал­лич. ма­те­риа­лов стре­мят­ся по­лу­чить макс. чис­ло цен­тров К., для че­го соз­да­ют глу­бо­кое пе­ре­ох­ла­ж­де­ние рас­пла­вов.

Механизмы роста кристаллов

На каком свойстве основана кристаллизация

Рис. 3. Атомно-шероховатая поверхность кристалла.

На каком свойстве основана кристаллизация

Рис. 2. Дислокационный рост кристалла: а – присоединение атома к ступени; б – схема развития ступени.

На каком свойстве основана кристаллизация

Рис. 1. Атомно-гладкая поверхность кристалла.

В за­ви­си­мо­сти от то­го, ка­кой яв­ля­ет­ся по­верх­ность кри­стал­ла в атом­ном мас­шта­бе – глад­кой или ше­ро­хо­ва­той, раз­ли­ча­ют два ме­ха­низ­ма рос­та кри­стал­лов: по­слой­ный и нор­маль­ный. Атом­но-глад­ким по­верх­но­стям обыч­но от­ве­ча­ют наи­бо­лее раз­ви­тые гра­ни с про­сты­ми кри­стал­ло­гра­фич. ин­дек­са­ми. Они со­дер­жат срав­ни­тель­но не­боль­шое чис­ло де­фек­тов: ва­кан­сий и ад­сор­би­ро­ван­ных ато­мов. Края не­за­вер­шён­ных атом­ных плос­ко­стей об­ра­зу­ют сту­пе­ни (рис. 1), ко­то­рые, в свою оче­редь, име­ют не­боль­шое чис­ло из­ло­мов. Эле­мен­тар­ный акт рос­та кри­стал­ла со­сто­ит в при­сое­ди­не­нии но­вой час­ти­цы к из­ло­му и не ме­ня­ет по­верх­но­ст­ную энер­гию. По­сле­до­ва­тель­ное при­сое­ди­не­ние час­тиц к из­ло­му при­во­дит к его дви­же­нию вдоль сту­пе­ни, а сту­пени по по­верх­но­сти – та­кой рост на­зы­ва­ет­ся по­слой­ным. Плот­ность сту­пе­ней при по­слой­ном рос­те за­ви­сит от ме­ха­низ­ма их ге­не­ра­ции. Сту­пе­ни мо­гут воз­ни­кать в ре­зуль­та­те об­ра­зо­ва­ния и рос­та дву­мер­ных за­ро­ды­шей. Про­цесс об­ра­зо­ва­ния дву­мер­ных за­ро­ды­шей, спо­соб­ных к даль­ней­ше­му рос­ту на атом­но-глад­кой по­верх­но­сти, име­ет не­ко­то­рую ана­ло­гию с об­ра­зо­ва­ни­ем цен­тров К. в жид­ко­сти. Дву­мер­ный за­ро­дыш так­же име­ет кри­тич. раз­мер, на­чи­ная с ко­то­ро­го он спо­со­бен к даль­ней­ше­му рос­ту. При аг­ре­ги­ро­ва­нии дву­мер­но­го за­ро­ды­ша пре­пят­ст­вую­щим фак­то­ром его раз­ви­тия при ма­лых раз­ме­рах яв­ля­ет­ся за­тра­та ра­бо­ты на ли­ней­ную энер­гию его пе­ри­мет­ра. Но с рос­том раз­ме­ра до­ля ли­ней­ной энер­гии пе­ри­мет­ра ста­но­вит­ся всё мень­ше, и, на­чи­ная с не­ко­то­ро­го кри­тич. раз­ме­ра, дву­мер­ный за­ро­дыш ста­но­вит­ся цен­тром рос­та но­вой сту­пе­ни. Час­то­та об­ра­зо­ва­ния дву­мер­ных за­ро­ды­шей очень ма­ла при ма­лых от­кло­не­ни­ях от рав­но­ве­сия, со­от­вет­ст­вен­но ма­ла и ско­рость рос­та, оп­ре­де­ляе­мая дву­мер­ным за­ро­ды­ше­об­ра­зо­ва­ни­ем. За­мет­ные ско­ро­сти рос­та при та­ком ме­ха­низ­ме обра­зо­ва­ния сту­пе­ней на­чи­на­ют­ся при ощу­ти­мом пе­ре­ох­ла­ж­де­нии и очень силь­но (экс­по­нен­ци­аль­но) воз­рас­та­ют при его уве­ли­че­нии. Др. ме­ха­низм ге­не­ра­ции сту­пе­ней свя­зан с вин­то­вы­ми дис­ло­ка­ция­ми. Ес­ли кри­сталл со­дер­жит вин­то­вую дис­ло­ка­цию, то его рост про­ис­хо­дит пу­тём при­сое­ди­не­ния ато­мов к тор­цу сту­пе­ни, окан­чи­ваю­щей­ся на дис­ло­ка­ции (рис. 2,а). При рос­те на вин­то­вой дис­ло­ка­ции сту­пень при­об­ре­та­ет спи­раль­ную фор­му (рис. 2,б), а за­мет­ная ско­рость рос­та увеличивается с пе­ре­ох­ла­ж­де­нием по квадратичному закону и на­блю­да­ет­ся уже при ма­лых от­кло­не­ни­ях от рав­но­ве­сия.

На атом­но-ше­ро­хо­ва­тых по­верх­но­стях (рис. 3) плот­ность из­ло­мов ве­ли­ка и при­сое­ди­не­ние но­вых час­тиц к кри­стал­лу про­исхо­дит прак­ти­че­ски в лю­бой точ­ке его по­верх­но­сти. Та­кой рост на­зы­ва­ет­ся нор­маль­ным. Его ско­рость ли­ней­но уве­ли­чи­ва­ет­ся с пе­ре­ох­ла­ж­де­ни­ем. Тео­рия рос­та кри­стал­ла свя­зы­ва­ет плот­ность упа­ков­ки по­верх­но­сти кри­стал­ла с энер­ги­ей свя­зи ме­ж­ду час­ти­ца­ми по­верх­но­сти кри­стал­ла и те­п­ло­той К. Счи­та­ет­ся, что если энер­гия свя­зи дос­та­точ­но ве­ли­ка, все плот­но­упа­ко­ван­ные гра­ни – глад­кие. Это ха­рак­тер­но для кри­стал­лов, рас­ту­щих из па­ра. Те­п­ло­та К. рас­пла­вов, как пра­ви­ло, зна­чи­тель­но ни­же, чем теп­ло­та К. из па­ра, по­это­му и энер­гия свя­зи час­тиц в кри­стал­ле по срав­не­нию с рас­пла­вом мень­ше, чем по срав­не­нию с па­ром. В свя­зи с этим по­верх­ность кри­стал­ла, рас­ту­ще­го из рас­пла­ва, обыч­но ше­ро­хо­ва­тая, что оп­ре­де­ля­ет нор­маль­ный рост и фор­ми­ро­ва­ние ок­руг­лён­ных гра­ней. Пе­ре­ход от ше­ро­хо­ва­то­сти к ог­ра­не­нию воз­мо­жен при из­ме­не­нии кон­цен­тра­ции в двух­ком­по­нент­ных сис­те­мах при рос­те кри­стал­ла из рас­тво­ра. В кри­стал­лах гер­ма­ния и крем­ния, рас­ту­щих из рас­пла­ва, мож­но на­блю­дать со­су­ще­ст­во­ва­ние пло­ских и ок­руг­лён­ных гра­ней.

Формы роста кристаллов

На каком свойстве основана кристаллизация

Рис. 4. Ячеистая структура фронта кристаллизации.

оп­ре­де­ля­ют­ся ани­зо­тро­пи­ей их свойств и ус­ло­вия­ми те­п­ло­мас­со­пе­ре­но­са в про­цес­се К. Кри­стал­лы с ше­ро­хо­ва­ты­ми по­верх­но­стя­ми име­ют обыч­но ок­руг­лую фор­му. При вы­ра­щи­ва­нии та­ких кри­стал­лов из-за боль­шой ско­ро­сти по­верх­но­ст­ных про­цес­сов пе­ре­ох­ла­ж­де­ние на гра­ни­це с рас­пла­вом малó и рас­ту­щая по­верх­ность по­вто­ря­ет фор­му изо­тер­мы тем­пе­ра­тур­но­го по­ля в сис­те­ме при темп-ре рав­но­ве­сия. Атом­но-глад­кие по­верх­но­сти про­яв­ля­ют­ся в ви­де гра­ней. Рав­но­вес­ная фор­ма кри­стал­лич. мно­го­гран­ни­ка та­ко­ва, что рас­стоя­ние от цен­тра до ка­ж­дой гра­ни про­пор­цио­наль­но ве­ли­чи­не её по­верх­но­ст­ной энер­гии. Рав­но­вес­ная фор­ма яв­ля­ет­ся и ста­цио­нар­ной фор­мой рос­та, но в ре­аль­ном про­цес­се рос­та она мо­жет быть силь­но ис­ка­же­на из-за не­ус­той­чи­во­сти по­верх­но­сти рос­та при ко­неч­ном (а не бес­ко­неч­но ма­лом) пе­ре­ох­ла­ж­де­нии, влия­нии при­ме­сей. 

На каком свойстве основана кристаллизация

Рис. 6. Скелетный кристалл шпинели.

На каком свойстве основана кристаллизация

Рис. 5. Дендритный кристалл иодоформа.

Ес­ли рас­плав силь­но пе­ре­ох­ла­ж­дён и темп-ра в рас­пла­ве убы­ва­ет по ме­ре уда­ле­ния от фрон­та рос­та, то рост не­ус­той­чив: слу­чай­но воз­ник­ший на по­верх­но­сти кри­стал­ла вы­ступ по­па­да­ет в об­ласть боль­ше­го пе­ре­ох­ла­ж­де­ния, и ско­рость его рос­та уве­ли­чи­ва­ет­ся. Та­кая не­ус­той­чи­вость для плос­ко­го фрон­та К. ве­дёт к об­ра­зо­ва­нию по­лос­ча­той или ячеи­стой струк­ту­ры кри­стал­ла (рис. 4). При рос­те ма­лень­ко­го кри­стал­ла эта не­ус­той­чи­вость про­яв­ля­ет­ся на­чи­ная с не­ко­то­ро­го раз­ме­ра кри­стал­ла. На нём раз­ви­вают­ся вы­сту­пы, и он при­об­ре­та­ет ске­лет­ную или ден­д­рит­ную фор­му, ко­то­рая ха­рак­те­ри­зу­ет­ся по­яв­ле­ни­ем вто­рич­ных вет­вей по­сле дос­ти­же­ния пер­вич­ным вы­сту­пом кри­тич. дли­ны (рис. 5). Рост боль­ших ог­ра­нён­ных кри­стал­лов из не­под­виж­но­го рас­тво­ра мо­жет быть так­же не­ус­той­чив. Пе­ре­сы­ще­ние в этом слу­чае вы­ше у вер­шин и рё­бер кри­стал­ла и мень­ше в центр. час­тях гра­ни. По­это­му вер­ши­ны ста­но­вят­ся ве­ду­щи­ми ис­точ­ни­ка­ми рос­та сло­ёв. При боль­шой раз­но­сти пе­ре­сы­ще­ний на вер­ши­нах и в цен­трах гра­ней вер­ши­ны об­го­ня­ют цен­тры гра­ней и воз­ни­ка­ет ске­лет­ная фор­ма кри­стал­ла (рис. 6). При за­дан­ной темп-ре в двух­ком­по­нент­ной сис­те­ме рав­но­ве­сие мо­жет су­ще­ст­во­вать при раз­ных со­ста­вах кри­стал­ла и рас­пла­ва. При рос­те кри­стал­ла один из ком­по­нен­тов ска­п­ли­ва­ет­ся пе­ред фрон­том, вы­зы­вая кон­цен­тра­ци­он­ное пе­ре­ох­ла­ж­де­ние, и это час­то при­во­дит к не­ус­той­чи­во­сти фрон­та рос­та.

На каком свойстве основана кристаллизация

Рис. 7. Секториальное и зонарное строение кристалла алюмокалиевых квасцов.

Раз­ные гра­ни кри­стал­ла при рос­те за­хва­ты­ва­ют раз­ные ко­ли­че­ст­ва при­ме­сей, со­дер­жа­щих­ся в сре­де. Так воз­ни­ка­ет его сек­то­ри­аль­ное строе­ние. Ес­ли кри­сталл пло­хо за­хва­ты­ва­ет при­месь, про­ис­хо­дит её на­ко­п­ле­ние пе­ред фрон­том рос­та. Пе­рио­дич. за­хват это­го по­гра­нич­но­го слоя рас­ту­щим кри­стал­лом при­во­дит к фор­ми­ро­ва­нию зо­нар­ной струк­ту­ры (рис. 7). За­хват при­ме­сей при­во­дит к из­ме­не­нию па­ра­мет­ров кри­стал­лич. ре­шёт­ки, и на гра­ни­цах об­лас­тей раз­но­го со­ста­ва воз­ни­ка­ют внутр. на­пря­же­ния, что при­во­дит к об­ра­зо­ва­нию дис­ло­ка­ций и тре­щин. Дис­ло­ка­ции воз­ни­ка­ют в ре­зуль­та­те ре­лак­са­ции уп­ру­гих на­пря­же­ний в не­рав­но­мер­но на­гре­том кри­стал­ле или мо­гут пе­ре­хо­дить из за­трав­ки в вы­ра­щи­вае­мый кри­сталл.

Массовая кристаллизация –

од­но­времен­ный рост мно­же­ст­ва кри­стал­лов, ши­ро­ко ис­поль­зуе­мый в пром-сти. Свой­ст­ва слит­ков и от­ли­вок при К. ме­тал­лур­гич. рас­пла­вов в силь­ной сте­пе­ни за­ви­сят от ко­ли­че­ст­ва цен­тров К. и ус­ло­вий их рос­та. При за­твер­де­ва­нии от­ли­вок ме­тал­лов цен­тры К. по­яв­ля­ют­ся вна­ча­ле на ох­ла­ж­дае­мых стен­ках из­лож­ни­цы, ку­да за­ли­ва­ют рас­плав­лен­ный ме­талл. Из хао­ти­че­ски ори­ен­ти­ро­ван­ных кри­стал­лов вы­жи­ва­ют те, ко­то­рые рас­тут пер­пен­ди­ку­ляр­но стен­ке. Они фор­ми­ру­ют столб­ча­тую зо­ну вбли­зи стен­ки. Кон­век­ци­он­ные по­то­ки в рас­пла­ве мо­гут об­ла­мы­вать вет­ви ден­д­ри­тов, по­став­ляя в рас­плав вто­рич­ные цен­тры К. Мас­совая К. в рас­тво­рах на­чи­на­ет­ся на ге­те­ро­ген­ных цен­трах К. или на спе­ци­аль­но вве­дён­ных за­тра­воч­ных кри­стал­лах. Столк­но­ве­ния этих кри­стал­ли­ков ме­ж­ду со­бой и со стен­ка­ми со­су­да в пе­ре­ме­ши­вае­мом рас­тво­ре да­ют на­ча­ло вто­рич­ным цен­трам К. Для соз­да­ния до­пол­нит. цен­тров К. ис­поль­зу­ют УЗ-дроб­ле­ние рас­ту­щих кри­стал­лов или до­бав­ки по­верх­но­ст­но-ак­тив­ных ве­ществ. Мас­со­вая К. ис­поль­зу­ет­ся так­же для очи­ст­ки ве­ществ от при­ме­сей. 

Применение кристаллизации

В при­ро­де К. при­во­дит к об­ра­зо­ва­нию ми­не­ра­лов, льда, иг­ра­ет важ­ную роль во мно­гих био­ло­гич. про­цес­сах. К. про­ис­хо­дит так­же при не­ко­то­рых хи­мич. ре­ак­ци­ях, в про­цес­се элек­тро­ли­за. Она ле­жит в ос­но­ве мн. тех­но­ло­гич. про­цес­сов: в ме­тал­лур­гии, при по­лу­че­нии ма­те­риа­лов для элек­тро­ни­ки, оп­ти­ки. Пу­тём К. по­лу­ча­ют мас­сив­ные мо­но­кри­стал­лы и тон­кие плён­ки. К. ши­ро­ко ис­поль­зу­ет­ся в хи­мич., пи­ще­вой, мед. пром-сти: в тех­но­ло­гии очи­ст­ки ве­ществ, при про­из-ве со­ли, са­ха­ра, ле­карств. 

Источник